組合物切斷電源電子電路設(shè)計(jì)和精細(xì)分析的原理

開關(guān)電源的電路組成

　　開關(guān)控制電源的主要通過(guò)電路是由輸入進(jìn)行電磁環(huán)境干擾濾波器（EMI）、整流濾波處理電路、功率變換電路、PWM控制器設(shè)計(jì)電路、輸出整流濾波電路部分組成。開關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。12V開關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開關(guān)管等部位，抗干擾電路出問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會(huì)把電流檢測(cè) 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。24V開關(guān)電源是高頻逆變開關(guān)電源中的一個(gè)種類。什么是24V開關(guān)電源 24V開關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。輔助電路有輸入過(guò)欠壓保護(hù)以及電路、輸出過(guò)欠壓保護(hù)管理電路、輸出過(guò)流保護(hù)相關(guān)電路、輸出短路電流保護(hù)我們電路等。開關(guān)電源的電路結(jié)構(gòu)組成方框圖如下：

輸入電路原理及常用電路

交流輸入整流濾波電路原理:

①雷擊保護(hù)電路：當(dāng)存在雷擊，由電力網(wǎng)時(shí)通過(guò)MOV1 MOV2，MOV3 ,: F1，F(xiàn)2，F(xiàn)3引入，由保護(hù)電路FDG1的產(chǎn)生的高壓力。當(dāng)施加壓敏電阻兩端的電壓超過(guò)工作電壓，其電阻降低，使得高電壓能量在可變電阻消耗，當(dāng)電流過(guò)大時(shí)，F(xiàn)1，F(xiàn)2，F(xiàn)3將后級(jí)保護(hù)電路燃燒。

　　② 輸入數(shù)據(jù)濾波處理電路：C1、L1、C2、C3組成的雙π型濾波通過(guò)網(wǎng)絡(luò)主要是對(duì)輸入系統(tǒng)電源的電磁環(huán)境噪聲及雜波信號(hào)可以進(jìn)行研究抑制，防止對(duì)電源技術(shù)干擾，同時(shí)也防止學(xué)生電源管理本身發(fā)展產(chǎn)生的高頻雜波對(duì)電網(wǎng)信息干擾。當(dāng)電源是否開啟一個(gè)瞬間，要對(duì) C5充電，由于歷史瞬間電流大，加RT1（熱敏電阻）就能得到有效的防止浪涌電流。因瞬時(shí)能量全消耗在RT1電阻上，一定需要時(shí)間后溫度不斷升高后RT1阻值減?。≧T1 是負(fù)溫系數(shù)主要元件），這時(shí)它消耗的能量也是非常小，后級(jí)電路可正常教學(xué)工作。

③整流器和濾波器：所述整流的交流電壓BRG1，之后或多或少純C5濾波后的直流電壓。如果容量較小的C5，將增加交流紋波的輸出。

　　DC 輸入進(jìn)行濾波電路設(shè)計(jì)原理：

輸入濾波電路：由C1，L1，C2組成的雙π濾波網(wǎng)絡(luò)主要是抑制輸入電源的電磁噪聲和雜波信號(hào)，防止對(duì)電源的干擾，防止電源本身產(chǎn)生的高頻雜波干擾電網(wǎng)。 C3、C4是一個(gè)量規(guī)電容，L2、L3是一個(gè)差動(dòng)模式電感。

2r1，r2，r3，z1，c6，q1，z2，r4，r5，q2，rt1，c7構(gòu)成了反浪涌電路。 在啟動(dòng)機(jī)器的那一刻，由于 c6的存在，q2沒有被傳導(dǎo)，電流通過(guò) rt1電路。 當(dāng) c6的電壓達(dá)到 z1的穩(wěn)定值時(shí)，q2就打開了。 如果 c8漏電或短路后出現(xiàn)短路現(xiàn)象，起重機(jī)上 rt1電壓降瞬間電流增大，q1導(dǎo)通使 q2無(wú)電壓傳導(dǎo)，rt1將在很短時(shí)間內(nèi)燒毀，保護(hù)后電路。

　　功率變換電路

MOS管的工作原理：使用最廣泛的MOSFET的是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS晶體管），它是利用工作的電半導(dǎo)體表面聲波的效果。也被稱為表面場(chǎng)效應(yīng)器件。由于其柵極是在非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，輸入電阻可被大大提高，高達(dá)105歐姆，是利用管尺寸的MOS柵極 - 源極電壓的，改變感生電荷的數(shù)量的半導(dǎo)體的表面，由此控制漏電流的大小。