開(kāi)關(guān)電源適配器的電磁干擾實(shí)際上來(lái)自開(kāi)關(guān)電路

開(kāi)關(guān)電源適配器在使用過(guò)程中，如果電磁兼容設(shè)計(jì)不到位，就很容易出現(xiàn)電磁干擾和故障。12V開(kāi)關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開(kāi)關(guān)管等部位，抗干擾電路出問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開(kāi)關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會(huì)把電流檢測(cè) 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。24V開(kāi)關(guān)電源是高頻逆變開(kāi)關(guān)電源中的一個(gè)種類。什么是24V開(kāi)關(guān)電源 24V開(kāi)關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開(kāi)關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。開(kāi)關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。 事實(shí)上，許多工程師可能不明白的是，它是開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部電路的主要電磁干擾之一，也需要及時(shí)采取措施加以控制。 本文將簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)電路引起的電磁干擾，看看開(kāi)關(guān)電路是如何產(chǎn)生干涉波的。

內(nèi)芯結(jié)構(gòu)主要由開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)和高頻變壓器。在操作/ DT產(chǎn)生這種組織結(jié)構(gòu)的dv是具有大輻度的脈沖，和富諧波寬帶，這是由開(kāi)關(guān)電源適配器，其中引起的電磁干擾的問(wèn)題。在操作中，產(chǎn)生了用于該脈沖干擾的主要原因主要有以下兩點(diǎn)：

　　 最常見(jiàn)的一種重要原因是一個(gè)開(kāi)關(guān)控制電路的開(kāi)關(guān)管負(fù)載為高頻變壓器進(jìn)行初級(jí)線圈，進(jìn)而可以變成學(xué)生感性負(fù)載。在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通瞬間，初級(jí)線圈之間產(chǎn)生影響很大的涌流，并在中國(guó)初級(jí)線圈的兩端同時(shí)出現(xiàn)具有較高的浪涌尖峰電壓。而在選擇開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)瞬間，由于我國(guó)初級(jí)線圈的漏磁通，致使企業(yè)一部分作為能量管理沒(méi)有我們從一次線圈傳輸?shù)蕉尉€圈，儲(chǔ)藏在電感中的這部分主要能量將和集電極電路中的電容、電阻逐漸形成自己帶有尖峰的衰減振蕩，疊加在關(guān)斷電壓上，形成關(guān)斷電壓尖峰。這種通過(guò)電源電壓中斷會(huì)產(chǎn)生與初級(jí)線圈接通時(shí)一樣的磁化沖擊電流瞬變，這個(gè)環(huán)境噪聲會(huì)傳導(dǎo)到輸入信息輸出端，形成有效傳導(dǎo)干擾，重者有可能發(fā)生擊穿開(kāi)關(guān)管。

　　 第二種情況比較分析常見(jiàn)的原因是脈沖變壓器初級(jí)線圈、開(kāi)關(guān)管和濾波電容可以構(gòu)成的高頻開(kāi)關(guān)控制電流環(huán)路中，可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生影響較大的空間環(huán)境輻射，并進(jìn)一步一個(gè)形成有效輻射干擾。如果沒(méi)有電容濾波容量需求不足或高頻特性不好，電容上的高頻阻抗會(huì)使高頻電流以差模方式傳導(dǎo)到交流提供電源中形成信息傳導(dǎo)干擾。

　　 在了解了開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)內(nèi)部的開(kāi)關(guān)電路會(huì)形成一種電磁環(huán)境干擾社會(huì)問(wèn)題后，工程師我們可以在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源適配器的過(guò)程中，有重點(diǎn)的進(jìn)行抗干擾強(qiáng)化，防止企業(yè)內(nèi)部管理產(chǎn)生的電磁干擾波對(duì)適配器正常的工作人員造成嚴(yán)重影響。