開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十大關(guān)注點(diǎn)和四大趨勢(shì)

在60年代，對(duì)開(kāi)關(guān)電源的出現(xiàn)，以便逐步取代線性穩(wěn)壓電源和SCR相位控制。12V開(kāi)關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開(kāi)關(guān)管等部位，抗干擾電路出問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開(kāi)關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會(huì)把電流檢測(cè) 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。24V開(kāi)關(guān)電源是高頻逆變開(kāi)關(guān)電源中的一個(gè)種類。什么是24V開(kāi)關(guān)電源 24V開(kāi)關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開(kāi)關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。開(kāi)關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。 40年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)已經(jīng)發(fā)展和變化迅，集成技術(shù)經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件的三個(gè)發(fā)展階段，和高頻軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。

　　功率控制半導(dǎo)體材料器件從雙極型器件（BPT、SCR、GTO）發(fā)展為MOS型器件（功率MOSFET、IGBT、IGCT等），使電力企業(yè)電子信息系統(tǒng)有可能可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)高頻化，并大幅度提高降低導(dǎo)通損耗，電路也更為我們簡(jiǎn)單。

80年代以來(lái)，研發(fā)和高頻軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，具有更好的性能，重量更輕，尺寸更小的電源轉(zhuǎn)換器。高頻軟開(kāi)關(guān)技術(shù)和電力電子行業(yè)在過(guò)去20年的國(guó)際研究熱點(diǎn)之一。

　　上世紀(jì)90年代中期，集成電力企業(yè)電子信息系統(tǒng)和集成電力電子控制模塊（IPEM）技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始不斷發(fā)展，它是我們當(dāng)今我國(guó)國(guó)際電力電子界亟待解決的新問(wèn)題之一。

重點(diǎn)1：開(kāi)關(guān)電源的功率密度

提高開(kāi)關(guān)電源的功率密度，使其更小更輕，是人們不斷追求的目標(biāo)。 高頻電源是電力電子領(lǐng)域的熱點(diǎn)問(wèn)題之一。 電源的小型化和減輕重量對(duì)于移動(dòng)電話和數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子設(shè)備尤為重要。 小型化開(kāi)關(guān)電源的具體方法是:

　　一是通過(guò)高頻化。為了能夠?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)電源高功率密度，必須不斷提高PWM變換器的工作時(shí)間頻率、從而可以減小電路中儲(chǔ)能元件的體積重量。

　　二是企業(yè)應(yīng)用具有壓電變壓器。應(yīng)用壓電變壓器可使高頻信號(hào)功率變換器可以實(shí)現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器主要利用壓電陶瓷復(fù)合材料以及特有的“電壓-振動(dòng)”變換和“振動(dòng)-電壓”變換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路設(shè)計(jì)如同我們一個(gè)串并聯(lián)諧振電路，是功率變換不同領(lǐng)域的研究社會(huì)熱點(diǎn)問(wèn)題之一。

三，使用新的電容。為了降低電力電子器件的體積和重量，必須設(shè)法提高電容器的性能，提高能量密度，研究以及為電力電子與電力系統(tǒng)的新型電容器的開(kāi)發(fā)，需要大容量，ESR等效串聯(lián)電阻小的體積和小。

　　關(guān)注點(diǎn)二：功率半導(dǎo)體電子器件進(jìn)行性能

英飛凌在1998年引入了一種冷mos管，它采用“超結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，因此也被稱為超結(jié)功率MOSFET。 工作電壓600V~800V，導(dǎo)通狀態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)，仍然保持開(kāi)關(guān)速度快。 是一種很有前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。

Igbt 出現(xiàn)時(shí)，額定電壓和電流分別為600v 和25a。